A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento da OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), um novo tipo de DRAM 4F2, composta por um transistor semicondutor de óxido que tem uma alta corrente ON e uma corrente OFF ultrabaixa, simultaneamente. Espera-se que essa tecnologia produza uma DRAM de baixo consumo de energia, trazendoàtona a propriedade de vazamento ultrabaixo do transistor InGaZnO*1. Isso foi anunciado pela primeira vez na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em São Francisco, CA, em 9 de dezembro de 2024. Essa conquista foi desenvolvida em conjunto pela Nanya Technology e pela Kioxia Corporation. Essa tecnologia tem o potencial de reduzir o consumo de energia em uma ampla gama de aplicações, incluindo sistemas de comunicação AI e pós-5G e produtos IoT.
Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20241209763400/pt/